2SK4017Q

2SK4017Q图片1
2SK4017Q图片2
2SK4017Q图片3
2SK4017Q图片4
2SK4017Q图片5
2SK4017Q图片6
2SK4017Q图片7
2SK4017Q图片8
2SK4017Q图片9
2SK4017Q图片10
2SK4017Q图片11
2SK4017Q图片12
2SK4017Q图片13
2SK4017Q图片14
2SK4017Q概述

TOSHIBA  2SK4017Q  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET N 通道,2SK 系列,

### MOSFET ,Toshiba


立创商城:
N沟道 60V 5A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2


欧时:
Toshiba 2SK 系列 Si N沟道 MOSFET 2SK4017Q, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 PW Mold2封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 5 A, 0.1 ohm, TO-251AA, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5A 3-Pin3+Tab PW-Mold2


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin3+Tab PW-Mold2


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5A 3-Pin3+Tab PW-Mold2


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; 20W; IPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 5A 3-Pin3+Tab PW-Mold2


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2


2SK4017Q中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 730pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 2.3 mm

高度 5.5 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

2SK4017Q引脚图与封装图
2SK4017Q引脚图
2SK4017Q封装图
2SK4017Q封装焊盘图
在线购买2SK4017Q
型号: 2SK4017Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  2SK4017Q  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 2.5 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司