2N7002F

NXP  2N7002F  晶体管, MOSFET, N沟道, 475 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage | 30V 最大漏极电流Id Drain Current | 475mA/0.475A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 1.7Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2V 耗散功率Pd Power Dissipation | 830mW/0.83W Description & Applications | SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small surface mounting type. SC-70/SOT-323 High density cell design for low RDSON. Suitable for high packing density. 描述与应用 | 表面贴装 N沟道增强型场效应 特性 N沟道增强型场效应晶体管 小型表面贴装型。 （SC-70/SOT-323） 高密度单元设计的低漏源导通电阻）。 适用于高包装密度。