NXP 2N7002PW 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.75 V
The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a Surface Mounted Device SMD plastic package using Trench MOSFET technology.
- .
- Logic Level Compatible
- .
- Very Fast Switching
- .
- ESD Protection Upto 1.5kV
- .
- AEC-Q101 Qualified
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.75 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.31A
输入电容Ciss 30pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.26 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 工业, Audio, 车用, 电源管理, Automotive, 音频, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002PW NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002KW 飞兆/仙童 | 功能相似 | 2N7002PW和2N7002KW的区别 |
2V7002WT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002PW和2V7002WT1G的区别 |
74AHC00PW,118 恩智浦 | 功能相似 | 2N7002PW和74AHC00PW,118的区别 |