2N5031

2N5031概述

射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

RF NPN 10V 20mA 400MHz 200mW 通孔 TO-72


得捷:
RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72


贸泽:
RF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72


2N5031中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 10 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1mA, 6V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N5031
型号: 2N5031
描述:射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
替代型号2N5031
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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