2N7002E,215

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2N7002E,215概述

NXP  2N7002E,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V

The 2N7002E is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in surface mount plastic package using Trench MOSFET technology. Suitable for logic level translator and high-speed line driver.

.
Logic-level compatible
.
Very fast switching

得捷:
MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23


欧时:
### N 通道 MOSFET,高达 0.9A,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin TO-236AB T/R


Newark:
# NXP  2N7002E,215  MOSFET Transistor, N Channel, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23


2N7002E,215中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 780 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 385 mA

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买2N7002E,215
型号: 2N7002E,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  2N7002E,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 385 mA, 60 V, 780 mohm, 10 V, 2 V
替代型号2N7002E,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002E,215

NXP 恩智浦

当前型号

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