2SK2915Q
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2SK2915Q
2SK2915Q中文资料参数规格
技术参数
耗散功率
150 W
漏源极电压Vds
600 V
封装参数
安装方式
Through Hole
封装
TO-3
外形尺寸
封装
TO-3
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买2SK2915Q
型号：
2SK2915Q
制造商：
Toshiba 东芝
描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3Pin3+Tab TO-3PN
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