2SK2611F参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK2611F图片3

2SK2611F中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 1.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK2611F引脚图与封装图

2SK2611F引脚图

2SK2611F封装图

2SK2611F封装焊盘图

在线购买2SK2611F

型号： 2SK2611F

制造商： Toshiba 东芝

描述：Trans MOSFET N-CH 900V 9A 3Pin3+Tab TO-3PN

替代型号2SK2611F

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替代型号对比

2SK2611F

Toshiba 东芝

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当前型号

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