RENESAS 2SK1317-E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 12 ohm, 15 V, 4 V
通孔 N 通道 2.5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
得捷:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
欧时:
NCH MOSFET,1500V,2.5A,9OHM,TO-3P
立创商城:
N沟道 1.5kV 2.5A
艾睿:
This 2SK1317-E power MOSFET from Renesas can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 100000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-3P
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-3P
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
额定功率 100 W
针脚数 3
漏源极电阻 12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 1500 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 990pF @10VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SK1317-E Renesas Electronics 瑞萨电子 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK1317 瑞萨电子 | 功能相似 | 2SK1317-E和2SK1317的区别 |
SK13 日立 | 功能相似 | 2SK1317-E和SK13的区别 |