极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 23A
输入电容Ciss 4250pF @25VVds
额定功率Max 150 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
2SK3907Q
Toshiba 东芝
当前型号
STW19NM50N
意法半导体
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