2SJ281-TL-E

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2SJ281-TL-E中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2 Ω

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 420pF @20VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TP-FA

外形尺寸

封装 TP-FA

物理参数

材质 Silicon

符合标准

RoHS标准

含铅标准 PB free

数据手册

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型号: 2SJ281-TL-E
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:Trans MOSFET P-CH Si 250V 3A

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