2SA1977-T1B-A参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1977-T1B-A概述

Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R

RF Transistor PNP 12V 50mA 8.5GHz 200mW Surface Mount SOT-23

得捷:
RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

艾睿:
Trans RF BJT PNP 12V 0.05A

安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
RF TRANSISTOR PNP SOT-23

2SA1977-T1B-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 8V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1977-T1B-A

型号： 2SA1977-T1B-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3Pin SOT-23 T/R