2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - TO-236
N-Channel 60V 350mA Ta 370mW Ta Surface Mount TO-236AB
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
N-Channel 60 V 1.6 Ω 370 mW 0.6 nC Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-23
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP 2N7002BK,215 MOSFET Transistor, N Channel, 350 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
通道数 1
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 440 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 370 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 370mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002BK,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002KT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002BK,215和2N7002KT1G的区别 |