2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 340mA 350mW Surface Mount SOT-666
得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
富昌:
2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
Newark:
# NXP 2N7002BKV,115 Dual MOSFET, Dual N Channel, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666
Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
通道数 2
漏源极电阻 1 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 0.525 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.34A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 350 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
封装 SOT-666-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N7002BKV,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
NTZD5110NT1G 安森美 | 功能相似 | 2N7002BKV,115和NTZD5110NT1G的区别 |
SI1026X-T1-GE3 威世 | 功能相似 | 2N7002BKV,115和SI1026X-T1-GE3的区别 |