2N7002BKV,115

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2N7002BKV,115概述

2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 60V 340mA 350mW Surface Mount SOT-666


得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R


富昌:
2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Newark:
# NXP  2N7002BKV,115  Dual MOSFET, Dual N Channel, 340 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.6 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT666


Win Source:
MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666


2N7002BKV,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 1 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 0.525 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.34A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 350 mW

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买2N7002BKV,115
型号: 2N7002BKV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:2N7002 系列 N 沟道 60 V 3 Ω 0.83 W 340 mA TrenchMOS FET - SOT666
替代型号2N7002BKV,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002BKV,115

NXP 恩智浦

当前型号

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