


















MICROCHIP 23LCV512-I/SN 芯片, 存储器, SRAM, 串行口, 512KB, 2.5-5.5V, 8SOIC
静态 RAM,
### SRAM(静态随机存取存储器)
欧时:
Microchip 23LCV512-I/SN, 512kbit SRAM 内存芯片, 64K x 8 位, 20MHz, 2.5 → 5.5 V, 8针 SOIC封装
立创商城:
23LCV512 I/SN
得捷:
IC SRAM 512KBIT SPI/DUAL 8SOIC
贸泽:
SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat
e络盟:
SRAM, 512 Kbit, 64K x 8位, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚
艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 512K-bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Allied Electronics:
512K; 2.5V SPI SERIAL SRAM; Vbat8 SOIC .150in TUBE
安富利:
SRAM Chip Async Dual 3.3V/5V 512K-Bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC Tube
Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 512K-bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
TME:
Memory; SRAM; 64kx8bit; 2.5÷5.5V; 20MHz; SO8; Interface: SPI
Verical:
SRAM Chip Sync Single 3.3V/5V 512K-bit 64K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube
Newark:
# MICROCHIP 23LCV512-I/SN SRAM, SERIAL, 512KB, 2.5-5.5V, 8SOIC
儒卓力:
**Ser.BBSRAM 512K 64Kx8 SPI SOP8 **
电源电压DC 2.50V min
工作电压 2.5V ~ 5.5V
针脚数 8
时钟频率 20 MHz
位数 8
内存容量 64000 B
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
23LCV512-I/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
23LCV512-I/P 微芯 | 完全替代 | 23LCV512-I/SN和23LCV512-I/P的区别 |
23LCV512-I/ST 微芯 | 完全替代 | 23LCV512-I/SN和23LCV512-I/ST的区别 |
23LC512-I/SN 微芯 | 完全替代 | 23LCV512-I/SN和23LC512-I/SN的区别 |