2SK3767

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2SK3767中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

2SK3767引脚图与封装图
2SK3767引脚图
2SK3767封装图
2SK3767封装焊盘图
在线购买2SK3767
型号: 2SK3767
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA 2SK3767 Power MOSFET, N Channel, 2A, 600V, 4.5Ω, 10V, 4V
替代型号2SK3767
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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