2SB1020A

2SB1020A概述

BJT HFE 2000min VCE-3V Vcbo -100V DC -7A

High-Power Switching Applications

Hammer Drive, Pulse Motor Drive Applications

•  High DC current gain: hFE= 2000 min VCE= −3 V, IC= −3 A

•  Low saturation voltage: VCE sat= −1.5 V max IC= −3 A

•  Complementary to 2SD1415A


Win Source:
TRANSISTOR HIGH POWER SWITCHING, HAMMER DRIVE, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATIONS


2SB1020A中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 7A

封装参数

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买2SB1020A
型号: 2SB1020A
制造商: Toshiba 东芝
描述:BJT HFE 2000min VCE-3V Vcbo -100V DC -7A

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