2SA1242-Y

2SA1242-Y图片1
2SA1242-Y图片2
2SA1242-Y概述

BJT PNP 20V 5A Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 170MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 160~320 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -1000mV/-1V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1W Description & Applications| silicon PNP epitaxial type strobe flash application; medium power amplifier application; low collector saturation voltage; high power dissipation 描述与应用| 硅PNP外延型 闪光灯的应用; 中等功率放大器应用; 集电极饱和电压低; 高功耗

2SA1242-Y中文资料参数规格
技术参数

耗散功率Max 1 W

封装参数

封装 PW-MOLD

外形尺寸

封装 PW-MOLD

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1242-Y
型号: 2SA1242-Y
制造商: Toshiba 东芝
描述:BJT PNP 20V 5A Transistor

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司