2N6770T1

2N6770T1概述

N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET

This family of 2N6764T1, 2N6766T1, 2N6768T1 and switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.  These devices are also available in a thru hole TO-204AE metal can package.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

2N6770T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 4W Ta, 150W Tc

漏源极电压Vds 500 V

额定功率Max 4 W

耗散功率Max 4W Ta, 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买2N6770T1
型号: 2N6770T1
描述:N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFET
替代型号2N6770T1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6770T1

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N6770T1

美高森美

完全替代

2N6770T1和JAN2N6770T1的区别

JANTX2N6770T1

美高森美

完全替代

2N6770T1和JANTX2N6770T1的区别

JANTXV2N6770T1

美高森美

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2N6770T1和JANTXV2N6770T1的区别

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