2N7002PV,115

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2N7002PV,115中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

极性 N-Channel

耗散功率 0.39 W

阈值电压 1.75 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 0.35A

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N7002PV,115
型号: 2N7002PV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:2N7002 系列 N-沟道 60 V 3.9 Ω 0.83 W 350 mA TrenchMOS FET - SOT-666
替代型号2N7002PV,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7002PV,115

NXP 恩智浦

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