2SK3017F

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2SK3017F概述

MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25Ω

DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications

Low drain−source ON resistance  : RDS ON= 1.05 Ωtyp.

High forward transfer admittance  : |Yfs| = 7.0 S typ.

Low leakage current  : IDSS= 100 μA max VDS= 720 V

Enhancement mode  : Vth= 2.0 to 4.0 V VDS= 10 V, ID= 1 mA


得捷:
MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 8.5A 3-Pin3+Tab TO-3PNIS


2SK3017F中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 900 V

输入电容Ciss 2150pF @25VVds

额定功率Max 90 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3017F
型号: 2SK3017F
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25Ω

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