2SK2009TE85LF参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SK2009TE85LF概述

Mosfet n-Ch 30V 0.2A Smini

表面贴装型 N 通道 200mA（Ta） 200mW（Ta） SC-59-3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

2SK2009TE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200mW Ta

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 70pF @3VVds

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-59-3

外形尺寸

封装 SC-59-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2009TE85LF

型号： 2SK2009TE85LF

制造商： Toshiba 东芝

描述：Mosfet n-Ch 30V 0.2A Smini