2EDL05N06PFXUMA1

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2EDL05N06PFXUMA1概述

INFINEON  2EDL05N06PFXUMA1  MOSFET Driver, 10V-17.5V supply, 500 mA output, DSO-8 新

EiceDRIVER 半桥隔离栅极驱动器集成电路,

**EiceDRIVER****2EDL** 是紧凑型 600V 半桥驱动器系列,可提供电流,以启用和禁用电源器件以及提供隔离。EDL 增强系列具有过压保护、主动关闭,可在消费及家用电器中使用。Infineon **EiceDRIVER** 2EDL 系列基于电平移位器绝缘硅技术 SOI,该技术控制 MOS 晶体管并包含限幅二极管。

过电流比较器

启用功能,故障指示器

单独控制电路

欠压电源过滤检测

离线格栅夹紧功能

不对称欠压锁定

超快限幅二极管


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DSO


欧时:
Infineon 2EDL05N06PFXUMA1 双 半桥 MOSFET 功率驱动器, 0.5A, 10 → 17.5 V电源, 8引脚 DSO封装


立创商城:
半桥 IGBT MOSFET


e络盟:
MOSFET Driver, 10V-17.5V supply, 500 mA output, DSO-8


艾睿:
Driver 0.71A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R


安富利:
MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin DSO T/R


Chip1Stop:
Driver 0.71A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R


TME:
Driver; bootstrap; MOSFET gate driver; 0.5A; 600mW; Channels:2


Verical:
Driver 0.71A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin DSO T/R


Newark:
# INFINEON  2EDL05N06PFXUMA1  MOSFET GATE DRIVER, HALF BRIDGE, DSO-8


2EDL05N06PFXUMA1中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V min

上升/下降时间 48ns, 24ns

输出接口数 2

针脚数 8

耗散功率 600 mW

上升时间 80 ns

输入偏置电流 60 µA

下降时间 40 ns

下降时间Max 30 ns

上升时间Max 80 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 600 mW

电源电压 10V ~ 20V

电源电压Max 17.5 V

电源电压Min 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 电源管理, Drives, Home Appliances, Solar, Consumer Electronics, 消费电子产品, Induction Heating, Power Management, Uninterruptible Power Supply UPS, Welding

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2EDL05N06PFXUMA1引脚图与封装图
2EDL05N06PFXUMA1电路图
在线购买2EDL05N06PFXUMA1
型号: 2EDL05N06PFXUMA1
描述:INFINEON  2EDL05N06PFXUMA1  MOSFET Driver, 10V-17.5V supply, 500 mA output, DSO-8 新

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