2SK208-YTE85L,F

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2SK208-YTE85L,F概述

2SK208-YTE85L,F 编带

JFET N 通道 表面贴装型 S-Mini


得捷:
JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI


立创商城:
2SK208-YTE85L,F


贸泽:
JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 3mA Si 3-Pin S-Mini T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 50V S-MINI


2SK208-YTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

漏源击穿电压 10 V

栅源击穿电压 30 V

击穿电压 50 V

输入电容Ciss 8.2pF @10VVds

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK208-YTE85L,F
型号: 2SK208-YTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:2SK208-YTE85L,F 编带

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