2SK880-BLTE85L,F

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2SK880-BLTE85L,F概述

JFET N-CH 50V 0.1W1/10W USM

JFET N-Channel 50V 100mW Surface Mount SC-70


得捷:
JFET N-CH 50V 0.1W USM


贸泽:
JFET N-CH FET 1.0dB AMP AUDIO -50 VGDS 10mA


艾睿:
Trans JFET N-CH 14mA Si 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 14mA Si 3-Pin USM T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 14mA Si 3-Pin USM T/R


2SK880-BLTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

漏源极电压Vds 50 V

漏源击穿电压 10 V

栅源击穿电压 50 V

击穿电压 50 V

输入电容Ciss 13pF @10VVds

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

材质 Silicon

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK880-BLTE85L,F
型号: 2SK880-BLTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:JFET N-CH 50V 0.1W1/10W USM

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