2SK3565Q,M

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2SK3565Q,M概述

TO-220NIS N-CH 900V 5A

N-Channel 900V 5A Ta 45W Tc Through Hole TO-220SIS


得捷:
MOSFET N-CH 900V 5A TO220SIS


贸泽:
MOSFET X35 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=500 V=900 PD=45W F=1MHZ


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin3+Tab TO-220SIS


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 45W; TO220FP


2SK3565Q,M中文资料参数规格
技术参数

额定功率 45 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 45W Tc

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1150pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 60 ns

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK3565Q,M引脚图与封装图
2SK3565Q,M引脚图
2SK3565Q,M封装图
2SK3565Q,M封装焊盘图
在线购买2SK3565Q,M
型号: 2SK3565Q,M
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220NIS N-CH 900V 5A

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