2SK3842TE24L,Q

2SK3842TE24L,Q中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.8 mΩ

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 12400pF @10VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-97

外形尺寸

长度 9.2 mm

宽度 9.2 mm

高度 3 mm

封装 SC-97

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3842TE24L,Q
型号: 2SK3842TE24L,Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-CH 60V 75A SC-97

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