2SK1382Q

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2SK1382Q中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 7000pF @10VVds

额定功率Max 200 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK1382Q
型号: 2SK1382Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3Pin3+Tab TO-3PL

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