2SA1987-OQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1987-OQ概述

TO-3PL PNP 230V 15A

Bipolar BJT Transistor PNP 230V 15A 30MHz 180W Through Hole TO-3PL

得捷:
TRANS PNP 230V 15A TO3P

欧时:
Transistor

安富利:
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin3+Tab TO-3PL

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin3+Tab TO-3PL

Win Source:
TRANS PNP 230V 15A TO3P / Bipolar BJT Transistor PNP 230 V 15 A 30MHz 180 W Through Hole TO-3PL

2SA1987-OQ中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 230 V

集电极最大允许电流 15A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 5V

额定功率Max 180 W

耗散功率Max 180000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SA1987-OQ引脚图与封装图

在线购买2SA1987-OQ

型号： 2SA1987-OQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：TO-3PL PNP 230V 15A