2N5302参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5302概述

高功率NPN硅晶体管 High−Power NPN Silicon Transistor

The High Power Bipolar NPN Transistor is designed for use in power amplifier and switching circuits applications.

Features

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VCEsat=0.75 Vdc Max @ IC = 10 Adc

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 60V 30A 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

2N5302中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 30.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 30A

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 60

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-204-2

外形尺寸

宽度 26.67 mm

封装 TO-204-2

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

最小包装 100

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5302

型号： 2N5302

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高功率NPN硅晶体管 High−Power NPN Silicon Transistor

替代型号2N5302