2SC5712TE12L,F

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2SC5712TE12L,F概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 3A 1W Surface Mount PW-MINI


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2SC5712TE12L,F


得捷:
TRANS NPN 50V 3A PW-MINI


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Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R


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Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2500mW 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R


2SC5712TE12L,F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 400 @300mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PW-MINI

外形尺寸

封装 PW-MINI

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SC5712TE12L,F引脚图与封装图
2SC5712TE12L,F引脚图
2SC5712TE12L,F封装图
2SC5712TE12L,F封装焊盘图
在线购买2SC5712TE12L,F
型号: 2SC5712TE12L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC

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