2SD1223TE16L1,NQ参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SD1223TE16L1,NQ概述

New NPN 80V 4A

Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 4A 1W Surface Mount PW-MOLD

得捷:
TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD

艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 4A 1000mW Automotive 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R

安富利:
Trans Darlington NPN 80V 3-Pin PW-Mold T/R

Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R

Verical:
Trans Darlington NPN 80V 4A 1000mW Automotive 3-Pin2+Tab New PW-Mold T/R

2SD1223TE16L1,NQ中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 1000 @3A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SD1223TE16L1,NQ引脚图与封装图

在线购买2SD1223TE16L1,NQ

型号： 2SD1223TE16L1,NQ

制造商： Toshiba 东芝

描述：New NPN 80V 4A