2SK1835-E

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2SK1835-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

通孔 N 通道 4A(Ta) 125W(Tc) TO-3P


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P


欧时:
MOSFET - Pb Free


立创商城:
N沟道 1.5kV 4A


贸泽:
MOSFET MOSFET - Pb Free


富昌:
2SK1835 系列 1500 V 4 A 通孔 硅 N-沟道 MOSFET - TO-3P


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin3+Tab TO-3P


Win Source:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P


2SK1835-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 1500 V

连续漏极电流Ids 4A

输入电容Ciss 1700pF @10VVds

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SK1835-E引脚图与封装图
2SK1835-E引脚图
2SK1835-E封装图
2SK1835-E封装焊盘图
在线购买2SK1835-E
型号: 2SK1835-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
替代型号2SK1835-E
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2SK1835-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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瑞萨电子

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