2SJ648-T1-A

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2SJ648-T1-A中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 1.45 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids -400 mA to 400 mA

上升时间 39 ns

输入电容Ciss 29pF @10VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ648-T1-A
型号: 2SJ648-T1-A
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:SC-75P-CH 20V 0.4A

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