2SJ517YYTL-E

2SJ517YYTL-E中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2A

封装参数

封装 UPAK

外形尺寸

封装 UPAK

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: 2SJ517YYTL-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

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