2MBI1400VXB-120P-50概述
IGBT 模块，2 个装，Fuji ElectricV - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric
V - 系列，第 6 代现场挡块
U/U4 系列，第 5 代现场挡块
S - 系列，第 4 代 NPT
### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric
绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
欧时:
Fuji Electric 2MBI1400VXB-120P-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 1.4 kA, Vce=1200 V, 6引脚 M272封装
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.8KA 7650000mW 10-Pin
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型号： 2MBI1400VXB-120P-50
制造商：
FUJI
富士电机
描述：IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT ### IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。