2SJ527S-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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2SJ527S-E图片2

2SJ527S-E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 220pF @10VVds

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ527S-E

型号： 2SJ527S-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET P-CH 60V 5A 3Pin2+Tab DPAKS

替代型号2SJ527S-E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SJ527S-E Renesas Electronics 瑞萨电子	当前型号	当前型号
2SJ377TE16R1,NQ 东芝	功能相似	2SJ527S-E和2SJ377TE16R1,NQ的区别
2SJ377TE16L1,NQ 东芝	功能相似	2SJ527S-E和2SJ377TE16L1,NQ的区别
2SJ527S 瑞萨电子	功能相似	2SJ527S-E和2SJ527S的区别