2SA1312GRTE85LF参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1312GRTE85LF概述

Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700

- 双极 BJT - 单 PNP 120 V 100 mA 100MHz 150 mW 表面贴装型 S-Mini

得捷:
TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700

Win Source:
TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI

2SA1312GRTE85LF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 120 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 150 mW

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1312GRTE85LF

型号： 2SA1312GRTE85LF

描述：Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700

替代型号2SA1312GRTE85LF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2SA1312GRTE85LF Toshiba 东芝	当前型号	当前型号
2SA1163-GR,LF 东芝	类似代替	2SA1312GRTE85LF和2SA1163-GR,LF的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SA1312GRTE85LF

Toshiba 东芝

当前型号

2SA1163-GR,LF

东芝

类似代替