硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET
Description
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
RDS on = 0.050 Ω typ.
• Low drive current.
• 4 V gate drive devices.
• High speed switching.
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin3+Tab LDPAKL Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin3+Tab DPAKL Box
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SJ551L-E Renesas Electronics 瑞萨电子 | 当前型号 | 当前型号 |
2SJ551L 瑞萨电子 | 功能相似 | 2SJ551L-E和2SJ551L的区别 |