2SK1838STR-E

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2SK1838STR-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 10 W

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 60pF @10VVds

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 10000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 DPAK-252

外形尺寸

封装 DPAK-252

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK1838STR-E
型号: 2SK1838STR-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 1A 3Pin2+Tab DPAKS T/R

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