2SK3147S-E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

2SK3147S-E图片1

2SK3147S-E图片2

2SK3147S-E中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 420pF @10VVds

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3147S-E

型号： 2SK3147S-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 5A 3Pin2+Tab DPAKS

替代型号2SK3147S-E

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SK3147S-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

当前型号

当前型号

2SK3147S

瑞萨电子

功能相似

2SK3147S-E和2SK3147S的区别