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2SJ530L-E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 15A

封装参数

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ530L-E

型号： 2SJ530L-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

替代型号2SJ530L-E

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SJ530L-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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当前型号

2SJ530L

瑞萨电子

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2SJ530L-E和2SJ530L的区别