2SJ626-T1B-A

2SJ626-T1B-A图片1
2SJ626-T1B-A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 255pF @10VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

引脚数 3

封装 Mini-Mold

外形尺寸

封装 Mini-Mold

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ626-T1B-A
型号: 2SJ626-T1B-A
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:Trans MOSFET P-CH 60V 1.5A Automotive 3Pin SC-96 T/R
替代型号2SJ626-T1B-A
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