2SK2926L-E

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2SK2926L-E概述

硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features

•  Low on-resistance

   RDSon= 0.042 Ωtyp.

•  4 V gate drive devices.

•  High speed switching


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin3+Tab DPAKL-2


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin3+Tab DPAKL-2


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin3+Tab DPAKL-2


2SK2926L-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 80 ns

输入电容Ciss 500pF @10VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-251

外形尺寸

封装 TO-251

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK2926L-E
型号: 2SK2926L-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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