2SB1131S-AE

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2SB1131S-AE中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

耗散功率 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 MP

外形尺寸

封装 MP

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1131S-AE
型号: 2SB1131S-AE
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:2SB1131S-AE

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