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2SJ535-E中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 2500pF @10VVds

下降时间 220 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ535-E

型号： 2SJ535-E

制造商： Renesas Electronics 瑞萨电子

描述：硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

替代型号2SJ535-E

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

2SJ535-E

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