2SK1152L-E

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2SK1152L-E概述

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Features

•  Low on-resistance

•  High speed switching

•  Low drive current

•  No secondary breakdown

•  Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Application

High speed power switching


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 1.5A 3-Pin3+Tab DPAKL-1 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 1.5A 3-Pin3+Tab DPAKL-1 Tube


2SK1152L-E中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.5A

封装参数

引脚数 3

封装 DPAK

外形尺寸

封装 DPAK

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK1152L-E
型号: 2SK1152L-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET
替代型号2SK1152L-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK1152L-E

Renesas Electronics 瑞萨电子

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2SK1152L

瑞萨电子

功能相似

2SK1152L-E和2SK1152L的区别

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