2SJ518AZTR-E

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2SJ518AZTR-E中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 220pF @10VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 UPAK

外形尺寸

封装 UPAK

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SJ518AZTR-E
型号: 2SJ518AZTR-E
制造商: Renesas Electronics 瑞萨电子
描述:硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

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