2SK3757Q

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2SK3757Q中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 450 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 4.5 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.5 mm

高度 15 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3757Q
型号: 2SK3757Q
制造商: Toshiba 东芝
描述:TO-220SIS N-CH 450V 2A

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