2SK880-GRTE85L,F

2SK880-GRTE85L,F图片1
2SK880-GRTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2SK880-GRTE85L,F
型号: 2SK880-GRTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3Pin USM T/R

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