2SK3869Q
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2SK3869Q
2SK3869Q中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds
450 V
封装参数
安装方式
Through Hole
封装
TO220SIS
外形尺寸
封装
TO220SIS
其他
包装方式
Tube
符合标准
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
数据手册
在线购买2SK3869Q
型号:
2SK3869Q
制造商:
Toshiba 东芝
描述:
Trans MOSFET N-CH 450V 10A 3Pin3+Tab TO-220SIS
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